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NAND512W3A2SZAXE

NAND512W3A2SZAXE

僅供參考

型號 NAND512W3A2SZAXE
PNEDA編號 NAND512W3A2SZAXE
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NAND512W3A2SZAXE資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NAND512W3A2SZAXE
類別半導體內存IC內存

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NAND512W3A2SZAXE規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁50ns
訪問時間50ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-TFBGA
供應商設備包裝63-VFBGA (9x11)

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內存大小

72Mb (4M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

96-BGA (13x9)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

RAM

技術

SGRAM - GDDR6

內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.25GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.21V ~ 1.29V

工作溫度

-40°C ~ 105°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

180-TFBGA

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

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內存大小

288Mb (16M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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