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NANO100LD3BN

NANO100LD3BN

僅供參考

型號 NANO100LD3BN
PNEDA編號 NANO100LD3BN
描述 IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48LQFP
制造商 Nuvoton Technology
單價 請求報價
庫存 4,716
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 12 - 二月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NANO100LD3BN資源

品牌 Nuvoton Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NANO100LD3BN
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器
數據表
NANO100LD3BN, NANO100LD3BN數據表 (總頁數: 160, 大小: 2,517.41 KB)
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NANO100LD3BN規格

制造商Nuvoton Technology Corporation of America
系列NuMicro™ Nano100
核心處理器ARM® Cortex®-M0
核心大小32-Bit
速度42MHz
連接性I²C, SPI, UART/USART
外圍設備Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT
I / O數量38
程序存儲器大小64KB (64K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小16K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)1.8V ~ 3.6V
數據轉換器A/D 7x12b; D/A 2x12b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-LQFP
供應商設備包裝-

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外圍設備

DMA, LVD, POR, WDT

I / O數量

51

程序存儲器大小

64KB (64K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

4K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3.5V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 15x8/10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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核心處理器

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核心大小

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速度

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連接性

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外圍設備

POR, WDT

I / O數量

81

程序存儲器大小

128KB (128K x 8)

程序存儲器類型

Mask ROM

EEPROM大小

-

RAM大小

4K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3.5V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 8x8/10b

振蕩器類型

External

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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核心處理器

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核心大小

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速度

10MHz

連接性

I²C, SPI, UART/USART

外圍設備

Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT

I / O數量

16

程序存儲器大小

7KB (4K x 14)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

256 x 8

RAM大小

368 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2V ~ 5.5V

數據轉換器

-

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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核心處理器

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核心大小

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連接性

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外圍設備

POR, WDT

I / O數量

20

程序存儲器大小

768B (512 x 12)

程序存儲器類型

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EEPROM大小

-

RAM大小

24 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

3V ~ 6.25V

數據轉換器

-

振蕩器類型

External

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I / O數量

34

程序存儲器大小

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程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

2K x 8

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