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NANO100NE3BN

NANO100NE3BN

僅供參考

型號 NANO100NE3BN
PNEDA編號 NANO100NE3BN
描述 IC MCU 32BIT 128KB FLASH 48QFN
制造商 Nuvoton Technology
單價 請求報價
庫存 8,550
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NANO100NE3BN資源

品牌 Nuvoton Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NANO100NE3BN
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器
數據表
NANO100NE3BN, NANO100NE3BN數據表 (總頁數: 160, 大小: 2,517.41 KB)
PDFNANO120KE3BN數據表 封面
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NANO100NE3BN規格

制造商Nuvoton Technology Corporation of America
系列NuMicro™ Nano100
核心處理器ARM® Cortex®-M0
核心大小32-Bit
速度42MHz
連接性EBI/EMI, I²C, SPI, UART/USART
外圍設備Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT
I / O數量38
程序存儲器大小128KB (128K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小16K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)1.8V ~ 3.6V
數據轉換器A/D 7x12b; D/A 2x12b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-VFQFN Exposed Pad
供應商設備包裝48-QFN (7x7)

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I / O數量

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程序存儲器大小

1.5KB (1K x 12)

程序存儲器類型

OTP

EEPROM大小

-

RAM大小

41 x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.5V ~ 5.5V

數據轉換器

-

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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程序存儲器大小

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程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

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電壓-電源(Vcc / Vdd)

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數據轉換器

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振蕩器類型

Internal

工作溫度

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安裝類型

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外圍設備

Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, WDT

I / O數量

49

程序存儲器大小

128KB (128K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

2K x 8

RAM大小

32K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.08V ~ 3.63V

數據轉換器

A/D 12x12b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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外圍設備

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I / O數量

12

程序存儲器大小

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程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

1K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

2.3V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 8x10b; D/A 1x8b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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程序存儲器大小

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