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NCD5701CDR2G

NCD5701CDR2G

僅供參考

型號 NCD5701CDR2G
PNEDA編號 NCD5701CDR2G
描述 HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,682
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 4 - 二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCD5701CDR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCD5701CDR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCD5701CDR2G, NCD5701CDR2G數據表 (總頁數: 20, 大小: 336.37 KB)
PDFNCD5701BDR2G數據表 封面
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NCD5701CDR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置High-Side or Low-Side
頻道類型Synchronous
驅動程序數量1
門類型IGBT
電壓-供電20V
邏輯電壓-VIL,VIH-
電流-峰值輸出(源極,接收器)7.8A, 6.8A
輸入類型-
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)18ns, 19ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

3-Phase

驅動程序數量

6

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

80ns, 35ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

28-SOIC

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制造商

Microchip Technology

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

4

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.2A, 1.2A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 13ns

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

16-SOIC

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制造商

系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

1V, 2.3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

5A, 5A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

7ns, 6ns

工作溫度

-40°C ~ 140°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 35V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

16ns, 13ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

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系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4.5A, 4.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

15ns, 18ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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