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NCP5106BDR2G

NCP5106BDR2G

僅供參考

型號 NCP5106BDR2G
PNEDA編號 NCP5106BDR2G
描述 IC DRIVER HI/LO 600V 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 288,630
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 30 - 四月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCP5106BDR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCP5106BDR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCP5106BDR2G, NCP5106BDR2G數據表 (總頁數: 21, 大小: 287.44 KB)
PDFNCP5106BMNTWG數據表 封面
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NCP5106BDR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)250mA, 500mA
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)600V
上升/下降時間(典型值)85ns, 35ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.9V, 3.8V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

15A, 15A

輸入類型

-

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

40ns, 40ns

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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Texas Instruments

制造商

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

2.3V, -

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

118V

上升/下降時間(典型值)

430ns, 260ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

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驅動配置

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頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 15V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

7.5ns, 10ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

LM9061MX

Texas Instruments

制造商

系列

-

驅動配置

High-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

7V ~ 26V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.5V, 3.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

-

工作溫度

-

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