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NCP5901BDR2G

NCP5901BDR2G

僅供參考

型號 NCP5901BDR2G
PNEDA編號 NCP5901BDR2G
描述 IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 51,426
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCP5901BDR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCP5901BDR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCP5901BDR2G, NCP5901BDR2G數據表 (總頁數: 9, 大小: 138.96 KB)
PDFNCP5901BMNTBG數據表 封面
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NCP5901BDR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 13.2V
邏輯電壓-VIL,VIH0.7V, 3.4V
電流-峰值輸出(源極,接收器)-
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)35V
上升/下降時間(典型值)16ns, 11ns
工作溫度0°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

1.1V, 1.9V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

290mA, 430mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

75ns, 35ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

350mA, 650mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

900V

上升/下降時間(典型值)

60ns, 30ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

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系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.6V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

35V

上升/下降時間(典型值)

20ns, 11ns

工作溫度

-20°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.2A, 1.2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 16ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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驅動配置

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頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

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電壓-供電

14.5V ~ 15.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

8A, 15A

輸入類型

-

高壓側-最大(自舉)

1200V

上升/下降時間(典型值)

5ns, 10ns

工作溫度

-20°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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