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NCP5901DR2G

NCP5901DR2G

僅供參考

型號 NCP5901DR2G
PNEDA編號 NCP5901DR2G
描述 IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 27 - 三月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCP5901DR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCP5901DR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCP5901DR2G, NCP5901DR2G數據表 (總頁數: 9, 大小: 134.55 KB)
PDFNCP5901DR2G數據表 封面
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NCP5901DR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 13.2V
邏輯電壓-VIL,VIH0.7V, 3.4V
電流-峰值輸出(源極,接收器)-
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)35V
上升/下降時間(典型值)16ns, 11ns
工作溫度0°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

14A, 14A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

25ns, 18ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220-5

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

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邏輯電壓-VIL,VIH

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電流-峰值輸出(源極,接收器)

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輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

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制造商

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系列

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

10.6A, 11.4A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

23ns, 19ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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頻道類型

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4.5V ~ 30V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

9ns, 8ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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