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NCV5701BDR2G

NCV5701BDR2G

僅供參考

型號 NCV5701BDR2G
PNEDA編號 NCV5701BDR2G
描述 HIGH CURRENT IGBT GATE DR
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,790
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCV5701BDR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCV5701BDR2G
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCV5701BDR2G, NCV5701BDR2G數據表 (總頁數: 20, 大小: 330.44 KB)
PDFNCV5701CDR2G數據表 封面
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NCV5701BDR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置High-Side or Low-Side
頻道類型Single
驅動程序數量1
門類型IGBT
電壓-供電20V
邏輯電壓-VIL,VIH0.75V, 4.3V
電流-峰值輸出(源極,接收器)20mA, 15mA
輸入類型Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)9.2ns, 7.9ns
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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門類型

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電壓-供電

14V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

30A, 30A

輸入類型

-

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

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電壓-供電

10.8V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.6V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

30V

上升/下降時間(典型值)

18ns, 10ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

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電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

30ns, 30ns

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

6V, 9.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.5A, 2.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

25ns, 17ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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