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NCV8440STT1G

NCV8440STT1G

僅供參考

型號 NCV8440STT1G
PNEDA編號 NCV8440STT1G
描述 MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCV8440STT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCV8440STT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NCV8440STT1G, NCV8440STT1G數據表 (總頁數: 11, 大小: 223.27 KB)
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NCV8440STT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)59V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)3.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.9V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds155pF @ 35V
FET功能-
功耗(最大值)1.69W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.5nC @ 4V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

包裝/箱

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制造商

Diodes Incorporated

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1477pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 71A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 70µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3700pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

114W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

Global Power Technologies Group

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2308pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

231W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

617pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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