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NDD03N50ZT4G

NDD03N50ZT4G

僅供參考

型號 NDD03N50ZT4G
PNEDA編號 NDD03N50ZT4G
描述 MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,910
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NDD03N50ZT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NDD03N50ZT4G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NDD03N50ZT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds329pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)58W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

454pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 23W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3430pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±7V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 3V

FET功能

-

功耗(最大值)

125mW (Ta)

工作溫度

125°C (TJ)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

771pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

34W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2130pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

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