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NDS8852H

NDS8852H

僅供參考

型號 NDS8852H
PNEDA編號 NDS8852H
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,310
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NDS8852H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NDS8852H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NDS8852H, NDS8852H數據表 (總頁數: 12, 大小: 349.57 KB)
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NDS8852H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.3A, 3.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.8V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds300pF @ 15V
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A, 8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 15V

功率-最大

2W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 10V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 150A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 30mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

483nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8400pF @ 1000V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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