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NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A

僅供參考

型號 NE3512S02-T1C-A
PNEDA編號 NE3512S02-T1C-A
描述 HJ-FET NCH 13.5DB S02
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 2,898
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE3512S02-T1C-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE3512S02-T1C-A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
NE3512S02-T1C-A, NE3512S02-T1C-A數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,044.87 KB)
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NE3512S02-T1C-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型HFET
頻率12GHz
增益13.5dB
電壓-測試2V
額定電流(安培)70mA
噪聲系數0.35dB
當前-測試10mA
功率-輸出-
電壓-額定4V
包裝/箱4-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝S02

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噪聲系數

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增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1A

功率-輸出

32W

電壓-額定

65V

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制造商

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系列

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晶體管類型

LDMOS

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增益

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電壓-測試

26V

額定電流(安培)

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噪聲系數

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增益

25.5dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

900mA

功率-輸出

300W

電壓-額定

110V

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制造商

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頻率

1.09GHz

增益

25dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

10mA

功率-輸出

10W

電壓-額定

100V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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