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NE3521M04-A

NE3521M04-A

僅供參考

型號 NE3521M04-A
PNEDA編號 NE3521M04-A
描述 IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE3521M04-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE3521M04-A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
NE3521M04-A, NE3521M04-A數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,948.46 KB)
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NE3521M04-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型N-Channel
頻率20GHz
增益10.5dB
電壓-測試2V
額定電流(安培)15mA
噪聲系數0.85dB
當前-測試6mA
功率-輸出-
電壓-額定3V
包裝/箱4-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝-

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電壓-測試

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額定電流(安培)

60mA

噪聲系數

-

當前-測試

10mA

功率-輸出

-

電壓-額定

25V

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

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頻率

700MHz ~ 1GHz

增益

20.6dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

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功率-輸出

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電壓-額定

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電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

600mA

功率-輸出

20W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-1239B

供應商設備包裝

CDFM6

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

N-Channel Dual Gate

頻率

200MHz

增益

-

電壓-測試

4V

額定電流(安培)

30mA

噪聲系數

1dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

-

電壓-額定

7V

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

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制造商

Broadcom Limited

系列

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晶體管類型

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12GHz

增益

11dB

電壓-測試

2V

額定電流(安培)

50mA

噪聲系數

1dB

當前-測試

20mA

功率-輸出

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電壓-額定

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包裝/箱

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