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NE677M04-T2-A

NE677M04-T2-A

僅供參考

型號 NE677M04-T2-A
PNEDA編號 NE677M04-T2-A
描述 RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 5,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE677M04-T2-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE677M04-T2-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE677M04-T2-A, NE677M04-T2-A數據表 (總頁數: 16, 大小: 4,490.1 KB)
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NE677M04-T2-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)6V
頻率-過渡15GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.7dB @ 2GHz
增益16dB
功率-最大205mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce75 @ 20mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343F
供應商設備包裝SOT-343F

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1.1dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

1.2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

SOT-89

66099

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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-

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Broadcom

制造商

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系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

增益

8dB ~ 17dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60mA

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Die

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制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

5.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

增益

-

功率-最大

140mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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