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NE851M13-T3-A

NE851M13-T3-A

僅供參考

型號 NE851M13-T3-A
PNEDA編號 NE851M13-T3-A
描述 RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ M13
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 3,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE851M13-T3-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE851M13-T3-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE851M13-T3-A, NE851M13-T3-A數據表 (總頁數: 21, 大小: 441.25 KB)
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NE851M13-T3-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)5.5V
頻率-過渡4.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ
功率-最大140mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 5mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-3
供應商設備包裝M13

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CEL

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz

增益

9.5dB ~ 11.5dB

功率-最大

130mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 2mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

3-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

3-SuperMiniMold (M33)

1004MP

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

頻率-過渡

960MHz ~ 1.215GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB ~ 9dB

功率-最大

7W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55FW-1

供應商設備包裝

55FW-1

2SC5226A-5-TL-E

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 20mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

3-MCP

BFR 360L3 E6327

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

9V

頻率-過渡

14GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

增益

11.5dB ~ 16dB

功率-最大

210mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 15mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-101, SOT-883

供應商設備包裝

PG-TSLP-3-1

75109A

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

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