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NE85633-R25-A

NE85633-R25-A

僅供參考

型號 NE85633-R25-A
PNEDA編號 NE85633-R25-A
描述 RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 6,516
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE85633-R25-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE85633-R25-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE85633-R25-A, NE85633-R25-A數據表 (總頁數: 9, 大小: 2,238.37 KB)
PDF2SC3356-T1B-R25-A數據表 封面
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NE85633-R25-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
增益11.5dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce125 @ 20mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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3.5dB @ 1GHz

增益

10dB

功率-最大

1.8W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

-

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 150mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

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系列

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晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

1.1GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

97 @ 1mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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