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NE85633-T1B-R25-A

NE85633-T1B-R25-A

僅供參考

型號 NE85633-T1B-R25-A
PNEDA編號 NE85633-T1B-R25-A
描述 RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 7,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 23 - 二月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE85633-T1B-R25-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE85633-T1B-R25-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE85633-T1B-R25-A, NE85633-T1B-R25-A數據表 (總頁數: 9, 大小: 2,238.37 KB)
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NE85633-T1B-R25-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
增益11.5dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce125 @ 20mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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1.4dB ~ 2dB @ 2GHz

增益

-

功率-最大

90mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 20mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-3

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

20dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-75, SOT-416

供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

16V

頻率-過渡

870MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

9.5dB

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

Central Semiconductor Corp

系列

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 60kHz

增益

-

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

供應商設備包裝

TO-72

MS1087T

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

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