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NE85639-T1-R27-A

NE85639-T1-R27-A

僅供參考

型號 NE85639-T1-R27-A
PNEDA編號 NE85639-T1-R27-A
描述 RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 6,102
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 16 - 四月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE85639-T1-R27-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE85639-T1-R27-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE85639-T1-R27-A, NE85639-T1-R27-A數據表 (總頁數: 6, 大小: 970.77 KB)
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NE85639-T1-R27-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡9GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
增益13dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 20mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-253-4, TO-253AA
供應商設備包裝SOT-143

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

14dB

功率-最大

3.5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 50mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400mA

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-39

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

9V

頻率-過渡

14GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

增益

13.5dB

功率-最大

210mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-75, SOT-416

供應商設備包裝

PG-SC-75

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

增益

12.5dB ~ 14dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 2mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

32mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

頻率-過渡

1.1GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

65 @ 1mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6dB ~ 6.5dB

功率-最大

1700W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55KT

供應商設備包裝

55KT

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