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NE85639-T1-R28-A

NE85639-T1-R28-A

僅供參考

型號 NE85639-T1-R28-A
PNEDA編號 NE85639-T1-R28-A
描述 RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 4,590
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 15 - 三月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE85639-T1-R28-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE85639-T1-R28-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE85639-T1-R28-A, NE85639-T1-R28-A數據表 (總頁數: 6, 大小: 970.77 KB)
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NE85639-T1-R28-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡9GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
增益13dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 20mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-253-4, TO-253AA
供應商設備包裝SOT-143

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.5V

頻率-過渡

40GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

24dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

PG-SOT343-4

FPNH10

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 8mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

MRF5812MR1

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晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.5V

頻率-過渡

21GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz

增益

16dB

功率-最大

360mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 80mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

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