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NESG7030M04-A

NESG7030M04-A

僅供參考

型號 NESG7030M04-A
PNEDA編號 NESG7030M04-A
描述 RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 3,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NESG7030M04-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NESG7030M04-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
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NESG7030M04-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)4.3V
頻率-過渡5.8GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
增益14dB ~ 21dB
功率-最大125mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 5mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343F
供應商設備包裝M04

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10.5dB

功率-最大

175W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M220

供應商設備包裝

M220

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

增益

13dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

SOT-343

MS652S

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

16V

頻率-過渡

450MHz ~ 512MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

25W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 200mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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M123

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制造商

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

19.5dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 15mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-75, SOT-416

供應商設備包裝

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FPNH10

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

650MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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