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NGB18N40CLBT4G

NGB18N40CLBT4G

僅供參考

型號 NGB18N40CLBT4G
PNEDA編號 NGB18N40CLBT4G
描述 IGBT 430V 18A 115W D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGB18N40CLBT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGB18N40CLBT4G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGB18N40CLBT4G, NGB18N40CLBT4G數據表 (總頁數: 8, 大小: 87.57 KB)
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NGB18N40CLBT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)430V
當前-集電極(Ic)(最大值)18A
電流-集電極脈沖(Icm)50A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 4V, 15A
功率-最大115W
開關能量-
輸入類型Logic
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 24A

功率-最大

250W

開關能量

8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

106nC

25°C時的Td(開/關)

42ns/200ns

測試條件

1360V, 50A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 160A

功率-最大

940W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

425nC

25°C時的Td(開/關)

52ns/220ns

測試條件

400V, 80A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

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門禁費用

21.2nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/90ns

測試條件

400V, 6A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.85V @ 15V, 20A

功率-最大

220W

開關能量

2.4mJ (on), 4.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

105nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/251ns

測試條件

960V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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