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NGB8202NT4

NGB8202NT4

僅供參考

型號 NGB8202NT4
PNEDA編號 NGB8202NT4
描述 IGBT 440V 20A 150W D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGB8202NT4資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGB8202NT4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGB8202NT4, NGB8202NT4數據表 (總頁數: 7, 大小: 144.89 KB)
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NGB8202NT4規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)440V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電流-集電極脈沖(Icm)50A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 4.5V, 20A
功率-最大150W
開關能量-
輸入類型Logic
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-/5µs
測試條件300V, 9A, 1kOhm, 5V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

52A

電流-集電極脈沖(Icm)

104A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 25A

功率-最大

297W

開關能量

2.8mJ (on), 2.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/210ns

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 40A

功率-最大

300W

開關能量

6.1mJ (on), 3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

600V, 40A, 39Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

180ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Infineon Technologies

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

功率-最大

60W

開關能量

160µJ (on), 130µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

39ns/93ns

測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 10A

功率-最大

115W

開關能量

83µJ (on), 140µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

57nC

25°C時的Td(開/關)

19.5ns/103ns

測試條件

400V, 10A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

107ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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