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NGB8207NT4G

NGB8207NT4G

僅供參考

型號 NGB8207NT4G
PNEDA編號 NGB8207NT4G
描述 IGBT 365V 20A 165W D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGB8207NT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGB8207NT4G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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NGB8207NT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)365V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電流-集電極脈沖(Icm)50A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.6V @ 4V, 20A
功率-最大165W
開關能量-
輸入類型Logic
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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當前-集電極(Ic)(最大值)

135A

電流-集電極脈沖(Icm)

380A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 95A

功率-最大

446W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

420nC

25°C時的Td(開/關)

29ns/226ns

測試條件

433V, 95A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 15A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

80nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/122ns

測試條件

600V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

功率-最大

400W

開關能量

4.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

135nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/350ns

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

200ns

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

555W

開關能量

3mJ (on), 3.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

104nC

25°C時的Td(開/關)

49ns/199ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

198ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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400A

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