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NGD8205NT4G

NGD8205NT4G

僅供參考

型號 NGD8205NT4G
PNEDA編號 NGD8205NT4G
描述 IGBT 390V 20A 125W DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGD8205NT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGD8205NT4G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGD8205NT4G, NGD8205NT4G數據表 (總頁數: 7, 大小: 111.84 KB)
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NGD8205NT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)390V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電流-集電極脈沖(Icm)50A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 4.5V, 20A
功率-最大125W
開關能量-
輸入類型Logic
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-/5µs
測試條件300V, 9A, 1kOhm, 5V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 20A

功率-最大

220W

開關能量

95µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

68nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/115ns

測試條件

390V, 13A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 15A

功率-最大

214W

開關能量

290µJ (on), 200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

13ns/116ns

測試條件

400V, 15A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

317ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電流-集電極脈沖(Icm)

20A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 5A

功率-最大

88W

開關能量

56µJ (on), 78.5µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

43nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/140ns

測試條件

400V, 5A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

134.5ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

110A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 110A

功率-最大

255W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

132nC

25°C時的Td(開/關)

44ns/245ns

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

27ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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12A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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輸入類型

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門禁費用

9nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/120ns

測試條件

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