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NGTB15N120IHTG

NGTB15N120IHTG

僅供參考

型號 NGTB15N120IHTG
PNEDA編號 NGTB15N120IHTG
描述 IGBT 1200V 15A BIPOLAR TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTB15N120IHTG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTB15N120IHTG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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NGTB15N120IHTG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 31A

功率-最大

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開關能量

6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

80nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

480V, 31A, 10Ohm, 15V

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105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 35A

功率-最大

268W

開關能量

390µJ (on), 632µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

104nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/105ns

測試條件

400V, 35A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

120ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

功率-最大

34W

開關能量

160µJ (on), 130µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

39ns/93ns

測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

330V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.76V @ 15V, 120A

功率-最大

160W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

85nC

25°C時的Td(開/關)

47ns/176ns

測試條件

196V, 25A, 10Ohm

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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