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NGTB20N120IHLWG

NGTB20N120IHLWG

僅供參考

型號 NGTB20N120IHLWG
PNEDA編號 NGTB20N120IHLWG
描述 IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
制造商 ON Semiconductor
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庫存 2,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTB20N120IHLWG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTB20N120IHLWG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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NGTB20N120IHLWG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)200A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 20A
功率-最大192W
開關能量700µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用200nC
25°C時的Td(開/關)-/235ns
測試條件600V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 24A

功率-最大

190W

開關能量

440µJ (on), 700µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

77nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/200ns

測試條件

400V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.85V @ 15V, 40A

功率-最大

300W

開關能量

850µJ (on), 425µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

169nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

600V, 20A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

300ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 50A

功率-最大

652W

開關能量

3mJ (on), 1.9mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

235nC

25°C時的Td(開/關)

34ns/297ns

測試條件

600V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

23A

電流-集電極脈沖(Icm)

92A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 12A

功率-最大

100W

開關能量

160µJ (on), 200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/78ns

測試條件

480V, 12A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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