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NGTB20N120IHSWG

NGTB20N120IHSWG

僅供參考

型號 NGTB20N120IHSWG
PNEDA編號 NGTB20N120IHSWG
描述 IGBT 1200V 20A TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,496
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTB20N120IHSWG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTB20N120IHSWG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGTB20N120IHSWG, NGTB20N120IHSWG數據表 (總頁數: 9, 大小: 178.26 KB)
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NGTB20N120IHSWG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 20A
功率-最大156W
開關能量650µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用155nC
25°C時的Td(開/關)-/160ns
測試條件600V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

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輸入類型

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 50A

功率-最大

333W

開關能量

1.2mJ (on), 1.4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

310nC

25°C時的Td(開/關)

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安裝類型

Through Hole

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

280A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 15V, 39A

功率-最大

200W

開關能量

370µJ (on), 2.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

190nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/240ns

測試條件

480V, 39A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

160A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 20A

功率-最大

166W

開關能量

770µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/199ns

測試條件

400V, 20A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

41ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

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