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NGTB20N120IHTG

NGTB20N120IHTG

僅供參考

型號 NGTB20N120IHTG
PNEDA編號 NGTB20N120IHTG
描述 IGBT 1200V 20A TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTB20N120IHTG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTB20N120IHTG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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NGTB20N120IHTG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 25A

功率-最大

192W

開關能量

3.4mJ (on), 800µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

89ns/235ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247

制造商

IXYS

系列

XPT™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

2500V

當前-集電極(Ic)(最大值)

29A

電流-集電極脈沖(Icm)

70A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 8A

功率-最大

280W

開關能量

2.6mJ (on), 1.07mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

45nC

25°C時的Td(開/關)

11ns/180ns

測試條件

1250V, 8A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

5ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

192A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 48A

功率-最大

300W

開關能量

1.7mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

70ns/140ns

測試條件

400V, 48A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AD

制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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330V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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