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NGTB20N120IHWG

NGTB20N120IHWG

僅供參考

型號 NGTB20N120IHWG
PNEDA編號 NGTB20N120IHWG
描述 IGBT 20A 1200V TO-247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTB20N120IHWG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTB20N120IHWG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGTB20N120IHWG, NGTB20N120IHWG數據表 (總頁數: 7, 大小: 108.84 KB)
PDFNGTB20N120IHWG數據表 封面
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NGTB20N120IHWG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
電流-集電極脈沖(Icm)80A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.65V @ 15V, 20A
功率-最大341W
開關能量480µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用150nC
25°C時的Td(開/關)-/170ns
測試條件600V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

330V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.65V @ 15V, 24A

功率-最大

114W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

46nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/89ns

測試條件

196V, 12A, 10Ohm

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

STGD3HF60HDT4

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

7.5A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.95V @ 15V, 1.5A

功率-最大

38W

開關能量

19µJ (on), 12µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

12nC

25°C時的Td(開/關)

11ns/60ns

測試條件

400V, 1.5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

85ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

DPAK

制造商

IXYS

系列

XPT™, GenX4™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

340A

電流-集電極脈沖(Icm)

840A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 120A

功率-最大

1200W

開關能量

5.75mJ (on), 2.67mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

250nC

25°C時的Td(開/關)

54ns/270ns

測試條件

400V, 100A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

105ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PLUS247™-3

FGH25N120FTDS

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

*

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

IXYS

系列

GenX3™

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

92A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 30A

功率-最大

250W

開關能量

540µJ (on), 800µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

80nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/125ns

測試條件

400V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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