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NGTB30N60IHLWG

NGTB30N60IHLWG

僅供參考

型號 NGTB30N60IHLWG
PNEDA編號 NGTB30N60IHLWG
描述 IGBT 600V 30A TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTB30N60IHLWG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTB30N60IHLWG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGTB30N60IHLWG, NGTB30N60IHLWG數據表 (總頁數: 10, 大小: 134.01 KB)
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NGTB30N60IHLWG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)150A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 30A
功率-最大250W
開關能量280µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用130nC
25°C時的Td(開/關)70ns/140ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)400ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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電流-集電極脈沖(Icm)

140A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 24A

功率-最大

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開關能量

550µJ (on), 800µJ (off)

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門禁費用

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電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.2V @ 15V, 20A

功率-最大

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門禁費用

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測試條件

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 20A

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測試條件

400V, 10A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

68ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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