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NGTB40N60FL2WG

NGTB40N60FL2WG

僅供參考

型號 NGTB40N60FL2WG
PNEDA編號 NGTB40N60FL2WG
描述 IGBT 600V 80A 366W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTB40N60FL2WG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTB40N60FL2WG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGTB40N60FL2WG, NGTB40N60FL2WG數據表 (總頁數: 10, 大小: 139.29 KB)
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NGTB40N60FL2WG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
電流-集電極脈沖(Icm)160A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 40A
功率-最大366W
開關能量970µJ (on), 440µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用170nC
25°C時的Td(開/關)84ns/177ns
測試條件400V, 40A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)72ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 16A

功率-最大

190W

開關能量

9.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

78nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

1360V, 16A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1350V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 40A

功率-最大

394W

開關能量

2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

305nC

25°C時的Td(開/關)

-/410ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 15A

功率-最大

198W

開關能量

1.9mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

130nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/580ns

測試條件

800V, 15A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

3.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

73nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/350ns

測試條件

800V, 20A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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