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NGTB45N60SWG

NGTB45N60SWG

僅供參考

型號 NGTB45N60SWG
PNEDA編號 NGTB45N60SWG
描述 IGBT 600V 45A TO-247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 18 - 四月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTB45N60SWG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTB45N60SWG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGTB45N60SWG, NGTB45N60SWG數據表 (總頁數: 10, 大小: 137.36 KB)
PDFNGTB45N60SWG數據表 封面
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NGTB45N60SWG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)90A
電流-集電極脈沖(Icm)180A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 45A
功率-最大250W
開關能量550µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用134nC
25°C時的Td(開/關)70ns/144ns
測試條件400V, 45A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)376ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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電流-集電極脈沖(Icm)

400A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

5.2V @ 15V, 100A

功率-最大

160W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

136nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

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IGBT類型

Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 40A

功率-最大

115W

開關能量

870µJ (on), 260µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

119nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/92ns

測試條件

400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

36ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-3PF

FGB30N6S2DT

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

電流-集電極脈沖(Icm)

108A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 12A

功率-最大

167W

開關能量

55µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

23nC

25°C時的Td(開/關)

6ns/40ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

46ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

STMicroelectronics

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

28A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 7A

功率-最大

88W

開關能量

99µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

46nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/160ns

測試條件

400V, 7A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

136ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 20A

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48nC

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53ns

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