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NGTD13T65F2SWK

NGTD13T65F2SWK

僅供參考

型號 NGTD13T65F2SWK
PNEDA編號 NGTD13T65F2SWK
描述 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,132
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 16 - 三月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTD13T65F2SWK資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTD13T65F2SWK
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGTD13T65F2SWK, NGTD13T65F2SWK數據表 (總頁數: 3, 大小: 98.68 KB)
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NGTD13T65F2SWK規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 30A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 40A

功率-最大

250W

開關能量

850µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

116nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/100ns

測試條件

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AD (IXGH)

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電流-集電極脈沖(Icm)

16A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 4A

功率-最大

68W

開關能量

40µJ (on), 136µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15.2nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/86ns

測試條件

400V, 4A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

133ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220AB

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Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

430V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 5V, 14A

功率-最大

125W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

27nC

25°C時的Td(開/關)

900ns/6µs

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

160A

電流-集電極脈沖(Icm)

280A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 70A

功率-最大

961W

開關能量

3.82mJ (on), 2.58mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

544nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/278ns

測試條件

600V, 70A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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20A

電流-集電極脈沖(Icm)

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2.0V @ 5V, 10A

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