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NGTD14T65F2WP

NGTD14T65F2WP

僅供參考

型號 NGTD14T65F2WP
PNEDA編號 NGTD14T65F2WP
描述 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTD14T65F2WP資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTD14T65F2WP
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGTD14T65F2WP, NGTD14T65F2WP數據表 (總頁數: 3, 大小: 87.51 KB)
PDFNGTD14T65F2SWK數據表 封面
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NGTD14T65F2WP規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 35A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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Renesas Electronics America

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.82V @ 15V, 20A

功率-最大

178.5W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

192A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.14V @ 15V, 48A

功率-最大

330W

開關能量

1.4mJ (on), 1.1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/160ns

測試條件

400V, 48A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

80ns

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

430V

當前-集電極(Ic)(最大值)

21A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

-/4.7µs

測試條件

300V, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

64A

電流-集電極脈沖(Icm)

75A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 25A

功率-最大

357W

開關能量

1.315mJ (on), 1.515mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

14ns/185ns

測試條件

800V, 25A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

500A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 100A

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反向恢復時間(trr)

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