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NGTD20T120F2SWK

NGTD20T120F2SWK

僅供參考

型號 NGTD20T120F2SWK
PNEDA編號 NGTD20T120F2SWK
描述 IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 4 - 四月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTD20T120F2SWK資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTD20T120F2SWK
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGTD20T120F2SWK, NGTD20T120F2SWK數據表 (總頁數: 3, 大小: 87.86 KB)
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NGTD20T120F2SWK規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 20A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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1350V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 20A

功率-最大

288W

開關能量

950µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

-/235ns

測試條件

600V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

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系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 30A

功率-最大

187W

開關能量

1.46mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

167nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/254ns

測試條件

400V, 30A, 10.6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 20A

功率-最大

168W

開關能量

77µJ (on), 170µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/139ns

測試條件

400V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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