NGTD21T65F2WP
僅供參考
| 型號 | NGTD21T65F2WP |
| PNEDA編號 | NGTD21T65F2WP |
| 描述 | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 2,646 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 四月 3 - 四月 8 (選擇加急運輸) |
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NGTD21T65F2WP資源
| 品牌 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | NGTD21T65F2WP |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-IGBT-單 |
| 數據表 |
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NGTD21T65F2WP規格
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 系列 | - |
| IGBT類型 | Trench Field Stop |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 650V |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | - |
| 電流-集電極脈沖（Icm） | 200A |
| Vce（on）（Max）@ Vge，Ic | 1.9V @ 15V, 45A |
| 功率-最大 | - |
| 開關能量 | - |
| 輸入類型 | Standard |
| 門禁費用 | - |
| 25°C時的Td（開/關） | - |
| 測試條件 | - |
| 反向恢復時間（trr） | - |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | Die |
| 供應商設備包裝 | Die |
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