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NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

僅供參考

型號 NGTD28T65F2SWK
PNEDA編號 NGTD28T65F2SWK
描述 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTD28T65F2SWK資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTD28T65F2SWK
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGTD28T65F2SWK, NGTD28T65F2SWK數據表 (總頁數: 3, 大小: 84.18 KB)
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NGTD28T65F2SWK規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)200A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 75A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 15A

功率-最大

115W

開關能量

543µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

90nC

25°C時的Td(開/關)

-/229ns

測試條件

600V, 15A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

電流-集電極脈沖(Icm)

360A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 60A

功率-最大

600W

開關能量

2mJ (on), 950µJ (off)

輸入類型

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門禁費用

122nC

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測試條件

400V, 60A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

65ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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系列

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

28A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 12A

功率-最大

63W

開關能量

150mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/70ns

測試條件

400V, 12A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.75V @ 15V, 3A

功率-最大

65W

開關能量

55µJ (on), 85µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/72ns

測試條件

390V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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