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NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

僅供參考

型號 NGTD30T120F2WP
PNEDA編號 NGTD30T120F2WP
描述 IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 12 - 四月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTD30T120F2WP資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTD30T120F2WP
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGTD30T120F2WP, NGTD30T120F2WP數據表 (總頁數: 3, 大小: 348.22 KB)
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NGTD30T120F2WP規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)200A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 40A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

5V @ 15V, 11A

功率-最大

190W

開關能量

900µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/160ns

測試條件

850V, 16A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

230ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 20A

功率-最大

179W

開關能量

440µJ (on), 330µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/225ns

測試條件

400V, 20A, 16Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 20A

功率-最大

167W

開關能量

200µJ (on), 130µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

116nC

25°C時的Td(開/關)

38ns/149ns

測試條件

400V, 20A, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.15V @ 15V, 30A

功率-最大

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開關能量

570µJ (off)

輸入類型

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門禁費用

145nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/360ns

測試條件

400V, 30A, 9.1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

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