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NGTG12N60TF1G

NGTG12N60TF1G

僅供參考

型號 NGTG12N60TF1G
PNEDA編號 NGTG12N60TF1G
描述 IGBT 600V 24A 54W TO-3PF
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTG12N60TF1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTG12N60TF1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGTG12N60TF1G, NGTG12N60TF1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 392.32 KB)
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NGTG12N60TF1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)24A
電流-集電極脈沖(Icm)88A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.6V @ 15V, 12A
功率-最大54W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用84nC
25°C時的Td(開/關)55ns/200ns
測試條件300V, 15A, 30Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3 Full Pack
供應商設備包裝-

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 10A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 50A

功率-最大

150W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

75ns/300ns

測試條件

300V, 50A, 39Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

300ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3 Full Pack

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

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門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

480V, 30A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 15A

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

82.4ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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