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NJL1302DG

NJL1302DG

僅供參考

型號 NJL1302DG
PNEDA編號 NJL1302DG
描述 TRANS PNP 260V 15A TO-264
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 15,504
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NJL1302DG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NJL1302DG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NJL1302DG, NJL1302DG數據表 (總頁數: 8, 大小: 143.1 KB)
PDFNJL3281D數據表 封面
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NJL1302DG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP + Diode (Isolated)
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)260V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 1A, 10A
當前-集電極截止(最大值)50µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce75 @ 5A, 5V
功率-最大200W
頻率-過渡30MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-5
供應商設備包裝TO-264

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12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 300mV

功率-最大

350mW

頻率-過渡

500MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

300MHz

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

50MHz

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

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120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 150mA, 10V

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