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NJVMJB42CT4G

NJVMJB42CT4G

僅供參考

型號 NJVMJB42CT4G
PNEDA編號 NJVMJB42CT4G
描述 TRANS PNP 100V 6A D2PAK-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 17,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 23 - 四月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NJVMJB42CT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NJVMJB42CT4G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NJVMJB42CT4G, NJVMJB42CT4G數據表 (總頁數: 6, 大小: 126.05 KB)
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NJVMJB42CT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 600mA, 6A
當前-集電極截止(最大值)700µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 3A, 4V
功率-最大2W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

功率-最大

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

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ON Semiconductor

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 750mA, 7.5A

當前-集電極截止(最大值)

1mA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 7.5A, 2V

功率-最大

200W

頻率-過渡

2MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

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