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NJVMJD31CT4G

NJVMJD31CT4G

僅供參考

型號 NJVMJD31CT4G
PNEDA編號 NJVMJD31CT4G
描述 TRANS NPN 100V 3A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NJVMJD31CT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NJVMJD31CT4G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NJVMJD31CT4G, NJVMJD31CT4G數據表 (總頁數: 12, 大小: 239 KB)
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NJVMJD31CT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)50µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 1A, 4V
功率-最大1.56W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3.5V @ 5A, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5A, 4V

功率-最大

1.8W

頻率-過渡

5MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 300mA, 10V

功率-最大

40W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

350MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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