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NLV14011BDR2G

NLV14011BDR2G

僅供參考

型號 NLV14011BDR2G
PNEDA編號 NLV14011BDR2G
描述 IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 2 - 三月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NLV14011BDR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NLV14011BDR2G
類別半導體邏輯IC邏輯-柵極和反相器

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NLV14011BDR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列4000B
邏輯類型NAND Gate
電路數4
輸入數量2
功能-
電壓-供電3V ~ 18V
當前-靜態(最大值)1µA
電流-輸出高,低8.8mA, 8.8mA
邏輯電平-低1.5V ~ 4V
邏輯電平-高3.5V ~ 11V
最大傳播延遲@ V,最大CL80ns @ 15V, 50pF
工作溫度-55°C ~ 125°C
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝14-SOIC
包裝/箱14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-輸出高,低

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邏輯電平-低

0.5V ~ 1.8V

邏輯電平-高

1.5V ~ 4.2V

最大傳播延遲@ V,最大CL

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功能

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

當前-靜態(最大值)

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電流-輸出高,低

1mA, 20mA

邏輯電平-低

0.8V

邏輯電平-高

2V

最大傳播延遲@ V,最大CL

5.5ns @ 5V, 50pF

工作溫度

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安裝類型

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當前-靜態(最大值)

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電流-輸出高,低

8mA, 8mA

邏輯電平-低

0.1V ~ 0.3V

邏輯電平-高

1.28V ~ 4.6V

最大傳播延遲@ V,最大CL

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

當前-靜態(最大值)

-

電流-輸出高,低

-, 8mA

邏輯電平-低

0.8V

邏輯電平-高

2V

最大傳播延遲@ V,最大CL

54ns @ 5V, 50pF

工作溫度

0°C ~ 70°C

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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邏輯類型

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電路數

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輸入數量

2

功能

-

電壓-供電

1.65V ~ 5.5V

當前-靜態(最大值)

4µA

電流-輸出高,低

32mA, 32mA

邏輯電平-低

-

邏輯電平-高

-

最大傳播延遲@ V,最大CL

3ns @ 5V, 50pF

工作溫度

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