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NM27C010N150

NM27C010N150

僅供參考

型號 NM27C010N150
PNEDA編號 NM27C010N150
描述 IC EPROM 1M PARALLEL 32DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 28 - 三月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NM27C010N150資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NM27C010N150
類別半導體內存IC內存
數據表
NM27C010N150, NM27C010N150數據表 (總頁數: 10, 大小: 704.85 KB)
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NM27C010N150規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EPROM
技術EPROM - OTP
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間150ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱32-DIP (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝32-DIP

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-TFBGA (6x8)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

4Tb (512G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

267MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

MT29F4G08AACHC:C

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

63-VFBGA

供應商設備包裝

63-VFBGA

M29W640GT70ZA6EP

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-TFBGA (6x8)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

3µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

16-SOIC

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