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NM27C010T120

NM27C010T120

僅供參考

型號 NM27C010T120
PNEDA編號 NM27C010T120
描述 IC EPROM 1M PARALLEL 32TSOP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,970
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NM27C010T120資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NM27C010T120
類別半導體內存IC內存
數據表
NM27C010T120, NM27C010T120數據表 (總頁數: 10, 大小: 704.85 KB)
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NM27C010T120規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EPROM
技術EPROM - OTP
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間120ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH - NAND

內存大小

256Gb (32G x 8)

內存接口

MMC

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LQFP

供應商設備包裝

64-TQFP (10x10)

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