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NM93C46LZM8

NM93C46LZM8

僅供參考

型號 NM93C46LZM8
PNEDA編號 NM93C46LZM8
描述 IC EEPROM 1K SPI 250KHZ 8SO
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,032
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NM93C46LZM8資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NM93C46LZM8
類別半導體內存IC內存
數據表
NM93C46LZM8, NM93C46LZM8數據表 (總頁數: 13, 大小: 109.07 KB)
PDFNM93C46M8X數據表 封面
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NM93C46LZM8規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Kb (64 x 16)
內存接口SPI
時鐘頻率250kHz
寫周期-字,頁15ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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內存類型

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內存格式

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內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

100ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

576Mb (32M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LQFP

供應商設備包裝

64-TQFP (14x14)

70V3579S4BC

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

1.125Mb (32K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

4.2ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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