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NMSD200B01-7

NMSD200B01-7

僅供參考

型號 NMSD200B01-7
PNEDA編號 NMSD200B01-7
描述 MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 26,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NMSD200B01-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NMSD200B01-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NMSD200B01-7, NMSD200B01-7數據表 (總頁數: 8, 大小: 216.97 KB)
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NMSD200B01-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 25V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)200mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-363
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3635pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 30A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+10V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4280pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±18V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

工作溫度

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