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NP100P06PLG-E1-AY

NP100P06PLG-E1-AY

僅供參考

型號 NP100P06PLG-E1-AY
PNEDA編號 NP100P06PLG-E1-AY
描述 MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 3,456
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NP100P06PLG-E1-AY資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NP100P06PLG-E1-AY
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NP100P06PLG-E1-AY規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs300nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15000pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.8W (Ta), 200W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta), 66W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

112mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1110pF @ 25V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2W (Ta)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2300pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

780mW (Ta), 33W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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1.2W (Ta)

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