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NP110N04PUG-E1-AY

NP110N04PUG-E1-AY

僅供參考

型號 NP110N04PUG-E1-AY
PNEDA編號 NP110N04PUG-E1-AY
描述 MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 2,142
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NP110N04PUG-E1-AY資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NP110N04PUG-E1-AY
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NP110N04PUG-E1-AY規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)110A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.8mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs390nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds25700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.8W (Ta), 288W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 27A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

118nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8545pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 250W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 4.6A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 4A

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

106W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

110mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 56µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

77pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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