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NP22N055SLE-E1-AY

NP22N055SLE-E1-AY

僅供參考

型號 NP22N055SLE-E1-AY
PNEDA編號 NP22N055SLE-E1-AY
描述 MOSFET N-CH 55V 22A TO-252
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NP22N055SLE-E1-AY資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NP22N055SLE-E1-AY
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NP22N055SLE-E1-AY規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs37mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.2W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252 (MP-3ZK)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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6.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 48A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

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6000pF @ 25V

FET功能

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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